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No.1305 分子線エピタキシー(MBE)装置による窒化物半導体の結晶成長 投稿者:澤田孝幸    投稿日:2017年06月03日 (土) 10時15分 [返信]

今度こそ 良い結晶 見てみたい

特性は 良いか悪いか 胸躍る

窒化ガリウム(GaN)半導体は、高輝度白色ランプや青色LEDとして広く知られている。ゼミの学生は北海道科学大学が保有する高価な大型実験機材である写真の分子線エピタキシー(MBE)装置を用いて、窒化ガリウムの仲間である窒化インジウム(InN)結晶膜を成長しているが、成長温度や照射する分子線強度などの条件に敏感で、特性の良好な薄膜を得るのは至難の業である。毎回、今度こそは、電気的にも、光学的にも優れた単結晶薄膜が得られるようにと、祈るような気持ちで成長を行っている。(澤田孝幸)



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